6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF8S9220HR3 MRF8S9220HSR3
TYPICAL CHARACTERISTICS
1
ACPR
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
Figure 5. Single-Carrier W-CDMA Power Gain, Drain
Efficiency and ACPR versus Output Power
?10
15
21
0
60
D
50
920 MHz
40
30
20
η
D
, DRAIN EFFICIENCY (%)
η
G
ps
, POWER GAIN (dB)
10 100 300
10
?60
ACPR (dBc)
20
Gps
19
0
?20
Figure 6. Broadband Frequency Response
?5
25
600
f, FREQUENCY (MHz)
VDD
= 28 Vdc
Pin
= 0 dBm
IDQ
= 1600
mA
10
5
700
GAIN (dB)
20
Gain
800 900 1000 1100 13001200
IRL
?25
5
0
?5
?10
?15
IRL (dB)
?20
18
17
16
?50
?40
?30
960 MHz
920 MHz
0
15
940 MHz
960 MHz
VDD= 28 Vdc, IDQ
= 1600 mA
Single?Carrier W?CDMA, 3.84 MHz
Channel Bandwidth, Input Signal
PAR = 7.5 dB @ 0.01%
Probability on CCDF
960 MHz
940 MHz
920 MHz
940 MHz
W-CDMA TEST SIGNAL
0.0001
100
0
PEAK?TO?AVERAGE (dB)
Figure 7. CCDF W-CDMA IQ Magnitude
Clipping, Single-Carrier Test Signal
10
1
0.1
0.01
0.001
1357924 6810
PROBABILITY (%)
W?CDMA. ACPR Measured in 3.84 MHz
Channel Bandwidth @ ±5 MHz Offset.
Input Signal PAR = 7.5 dB @ 0.01%
Probability on CCDF
Input Signal
?60
?100
10
(dB)
?20
?30
?40
?50
?70
?80
?90
3.84 MHz
Channel BW
?9 9?7.2
7.2
1.8 5.43.6
0
?5.4
?3.6
?1.8
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 8. Single-Carrier W-CDMA Spectrum
?ACPR in 3.84 MHz
Integrated BW
+ACPR in 3.84 MHz
Integrated BW
?10
0
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